本网讯 10月18日下午，公司师生聆听了中国科学院金属研究所任卫军研究员带来的题目为《YbMnBi2和BaZnBi2半金属的磁输运研究》的学术报告。
任卫军研究员1992年毕业于上海交通大学材料科学专业，2003年在中国科学院金属研究所获得工学博士学位。先后在奥地利维也纳技术大学，香港理工大学，美国罗格斯(新泽西州立)大学，布鲁克海文国家实验室访问或博士后研究。在磁致伸缩、磁致冷和新型强关联金属晶体材料等领域开展研究工作。在Adv. Mater.，Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett. 等国际学术期刊上发表SCI论文90多篇，其中第一或通讯作者论文37篇。
本次报告主要介绍了层状结构的YbMnBi2和BaZnBi2的能带结构以及它们的磁输运性质，报告中指出YbMnBi2高场磁电阻呈现明显的单频振荡，且具有大的载流子浓度，高的电子迁移率和非零Berry相位等典型狄拉克化合物特性。而BaZnBi2高场磁电阻呈现明显的多频振荡特征和线性非饱和磁电阻，但第一原理计算和振荡的Berry相位表明其为正常金属，表明ABX2中磁有序对狄拉克态的形成是至关重要的。报告后任卫军研究员与同公司师生对ABX2材料的磁有序等问题进行了探讨。
